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瞎折图5电子束辐照下MoS2孔洞修复过程的HRTEM图像MoS2原位修复的HRTEM图像。(b)-(c)Disconnection1从三叉晶界处形核并在GB2上滑移，历史导致相应的晶界迁移。与红色箭头标记的原始界面相比，地名都新的催化剂/纳米线界面向纳米线侧移动。
变变去MoS2和碲化铋Bi2Te3是二维硫族化物采用的两种最常见的结构类型。原子更倾向于附着在被大量通道包围的空位上，瞎折在那里更容易形成能量较低的稳定六方晶格，相应的修复机制如图(o)-(u)所示。
实验中的器件装置由覆盖Si3N4的硅衬底支撑，历史使用的双层石墨烯片从天然石墨上剥落。
地名都(h)-(n)从327到740s（修复结束）的修复过程。利用同步辐射技术来表征材料的缺陷，变变去化学环境用于机理的研究已成为目前的研究热点。
此外，瞎折越来越多的研究工作开始涉及了使用XAS等需要使用同步辐射技术的表征，而抢占有限的同步辐射光源资源更显得尤为重要。限于水平，历史必有疏漏之处，欢迎大家补充。
近日,Ceder课题组在新型富锂材料正极的研究中（Nature2018,556,185-190）取得了重要成果，地名都如图五所示。在X射线吸收谱中，变变去阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。
